2SK4017 パワーMOSFET N-ch TOSHIBA

シリコンNチャネルのパワーMOS-FETです。
ゲートのしきい値電圧が低く大きな電流を流せるため、
マイコンの信号でテープLEDなどを制御するのに適しています。

■仕様

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FETタイプ　　　　　　： N-ch
ドレイン-ソース電圧　： 60V (max)
ドレイン-ゲート電圧　： 60V (max)
ドレイン電流　　　 　： 5A(連続)、20A(パルス)
ゲート閾値電圧　　　 ： 1.3V-2.5V
ドレイン-ソースON抵抗： 0.07Ω (typ.)
許容損失　　　　　　 ： 20W (@25℃)
パッケージ　　　　　 ： TO-251

詳しくはデータシートをご覧下さい